在晶片上生长为外延片的步骤：

在单晶衬底上生长一薄层单晶工艺，称为外延；长有外延层的晶体片称为外延片；外延材料是LED的核心部分。LED的波长、亮度、正向电压等主要光电参数基本上取决于外延材料。 外延技术和设备分气相外延、液相外延、金属有机化合物气相外延（MOCVD）,目前主流方式为 MOCVD，而 MOCVD 外延炉则是 LED 外延片和芯片制造过程中的蕞重要的设备，在2008年前后时期，一套 MOCVD 设备需要上千万人民i币左右。

把衬底放到外延炉中，然后控制化合物气体在衬底上沉积，就像植物从地下生长上来一样，化合物沉积到衬底上好像从衬底上生长上来的一样，所以称之为外延片生长。需要生长多层微米级别的不同层。

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视频作者：马鞍山杰生半导体有限公司

一、定义

1、LED晶片为LED的主要原材料,LED主要依靠晶片来发光。

2、LED芯片是一种固态的半导体器件，就是一个P-N结，它可以直接把电转化为光。LED的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。

二、组成

1、LED晶片的组成：要有申(AS)铝(AL)家(Ga)铟(IN)磷(P)氮(N)锶(Ｓi)这几种元素中的若干种组成。

2、LED芯片的组成：由金垫、P极、N极、PN结、背金层构成（双pad芯片无背金层）组成。

三、分类

1、LED晶片

1）按发光亮度分：

A.一般亮度:R﹑H﹑G﹑Y﹑E等；

B.高亮度:VG﹑VY﹑SR等；

C.超高亮度:UG﹑UY﹑UR﹑UYS﹑URF﹑UE等；

D.不可见光(红外线):IR﹑SIR﹑VIR﹑HIR；

E.红外线接收管:PT；

F.光电管:PD；

2）按组成元素分：

A.二元晶片(磷﹑家):H﹑G等；

B.三元晶片（磷﹑家﹑申）:SR﹑HR﹑UR等；

C.四元晶片(磷﹑铝﹑家﹑铟):SRF﹑HRF﹑URF﹑VY﹑HY﹑UY﹑UYS﹑UE﹑HE、UG

2、LED芯片

1）根据用途分：大功率LED芯片、小功率LED芯片两种；

2）根据颜色分：主要分为三种：红色、绿色、蓝色（制作白光的原料）；

3）根据形状分：一般分为方片、圆片两种；

4 ) 根据大小分：小功率的芯片一般分为8mil、9mil、12mil、14mil等。

50年前人们已经了解半导体材料可产生光线的基本知识，1962年，通用电气公司的尼克•何伦亚克(NickHolonyakJr.)开发出第壹种实际应用的可见光发光二极管。LED是英文light emitting diode(发光二极管)的缩写，它的基本结构是一块电致发光的半导体材料，置于一个有引线的架子上，然后四周用环氧树脂密封，即固体封装，所以能起到保护内部芯线的作用，所以LED的抗震性能好。

蕞初LED用作仪器仪表的指示光源，后来各种光色的LED在交通信号灯和大面积显示屏中得到了广泛应用，产生了很好的经济效益和社会效益。以12英寸的红色交通信号灯为例，在美国本来是采用长寿命、低光效的140瓦白炽灯作为光源，它产生2000流明的白光。经红色滤光片后，光损失90%，只剩下200流明的红光。而在新设计的灯中，Lumileds公司采用了18个红色LED光源，包括电路损失在内，共耗电14瓦，即可产生同样的光效。汽车信号灯也是LED光源应用的重要领域。