在LED芯片制作过程中，把一些有缺陷的或者电极有磨损的芯片，分捡出来，这些就是后面的散晶，此时在蓝膜上有一些不符合正常出货要求的晶片，也就自然成了边片。
刚才谈到在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试，对于不符合相关要求的晶圆片作另外处理，这些晶圆片是不能直接用来做LED方片，也就不做任何分检了，直接卖给客户了，也就是目前市场上的LED大圆片(但是大圆片里也有好东西，如方片)。
LED制作流程分为两大部分。
首先在衬低上制作氮化家(GaN)基的外延片，这个过程主要是在金属有机化学气相沉积外延炉中完成的。
准备好制作GaN基外延片所需的材料源和各种高纯的气体之后，按照工艺的要求就可以逐步把外延片做好。
常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底，还有GaAs、AlN、ZnO等材料。
MOCVD是利用气相反应物(前驱物)及Ⅲ族的有机金属和Ⅴ族的NH3在衬底表面进行反应，将所需的产物沉积在衬底表面。
通过控制温度、压力、反应物浓度和种类比例，从而控制镀膜成分、晶相等品质。
MOCVD外延炉是制作LED外延片蕞常用的设备。
LED模组就是把LED（发光二极管）按一定规则排列在一起再封装起来，加上一些防水处理组成的产品。就是LED模组。
按密封性又可以分为防水和不防水两种。防水和不防水的模组主要是看应用环境来区分的，一般防水的LED模组可以运用于户外照明和宣传使用，它不会因为进水而发生问题，更适合恶劣的环境应用，而不防水模组则主要是室内用的比较多。
按照LED的形状LED模组分为：直插式LED模组，食人鱼LED模组，贴片LED模组。
在现阶段白光LED首要经过三种方法完成：
1、选用蓝光LED芯片和荧光粉，由蓝光和黄光两色互补得到白光或用蓝光LED芯片合作赤色和绿色荧光粉，由芯片宣布的蓝光、荧光粉宣布的红光和绿光三色混合取得白光;
2、使用紫外LED芯片宣布的近紫外激起三基色荧光粉得到白光。
3、选用红、绿、蓝三色LED组合发光即多芯片白光LED;
当前使用广泛的是第二种方法，选用蓝光LED芯片和荧光粉，互补得到白光。因而，此种芯片进步LED的流明功率，决议于蓝光芯片的初始光通量及光保持率。
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